模拟电子技术基础

结型管，mos管各区判断

mos管各区判断

首先看是开启电压还是夹断电压，看是U_gs(th)还是U_gs(off),前者开启，为增强型，后者夹断，为耗尽型

然后判断是

若为U_gs(th)

U_gs(th)>0为N沟道，U_gs(th)<0为P沟道

U_gs(off)与U_gs(th)判断方法相同

判断各区的方法

利用已知信息算出U_gs,U_ds,U_gs - U_gs(th)

增强型N沟道mos管3个区的判断

增强型P沟道mos管3个区的判断

管子工作在恒流区各管的判断

需要注意的的是U_gs(th)在N沟道mos管增强型时>0,U_gs(off)在N沟道mos管耗尽型时<0,N型结型场是U_gs恒小于0（P沟道则反之）

管子工作在不同电压时各区的判断

场效应管

$I_d=I_{dss}(1-\frac{U_{GS}}{U_{GS(off)}})^2$

mos管

$I_d=I_{dss}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2$

$I_d=I_{dss}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(off)}}-1)^2$

截至放大饱和判断条件

NPN管

PNP管

例题1

如果工作在稳压状态，U0为-5v，因为稳定电压是二极管的阴极减去阳极

u=0时，U_eb<U_on,截止，Vc=-12v,Vc-Ve=-12v-0v<-5v

下面是第二问

假设法算出Vc>Vb,可得晶体管处于饱和状态

PNP管饱和稳压降方向相反，是由e到c的减小，由图得二极管处于反向截止状态，输出电压与二极管无关，为饱和压降，V0=-0.1v

例题2

[Markdown 调整图片位置与大小](https://cloud.tencent.com/developer/article/1684768)